Renormalisation des calculs prévus par la simulation NIEL pour la production des défauts introduits par l’irradiation dans le semiconducteur en fonction de nature des particules irradiantes.
| dc.contributor.author | EL MEHDI EL ALLAM | |
| dc.date.accessioned | 2016-07-04T13:40:43Z | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-21T15:38:28Z | |
| dc.date.available | 2016-07-04T13:40:43Z | |
| dc.date.issued | 2016-07-04 | |
| dc.date.registred | 2014 | |
| dc.description.ced | Sciences et Technologies | en_US |
| dc.description.collaborator | Pr. A. JORIO | |
| dc.description.laboratory | Sciences des matériaux et procédés industriels | en_US |
| dc.identifier.uri | https://otrohati.imist.ma/handle/123456789/36167 | |
| dc.title | Renormalisation des calculs prévus par la simulation NIEL pour la production des défauts introduits par l’irradiation dans le semiconducteur en fonction de nature des particules irradiantes. | en_US |